半导体基础知识

   2023-10-01 13:16:30 290
核心提示:自动化人 - 知乎​www.zhihu.com/club/1218166235449671680一、本征半导体[1]导体--银、铜、铁、铝等金属元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。绝缘体--皮革、干燥的木头、惰性气体、橡胶等材料,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,一般强度的电场,不会形成电流(或者非常微弱),只

一、本征半导体[1]

导体--银、铜、铁、铝等金属元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。

绝缘体--皮革、干燥的木头、惰性气体、橡胶等材料,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,一般强度的电场,不会形成电流(或者非常微弱),只有在外电场强到一定程度时才可能导电。

1.半导体 本征半导体

导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

半导体--硅(Si)、锗(Ge)等材料,均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。

本征半导体:是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态,制造半导体器件必须使用单晶体(材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”)。单晶体不但纯度高,在晶格结构上也是没有缺陷的,用这样的单晶体制造的器件才能保证质量。

典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。特点:纯净、无杂质(不掺杂);结构稳定。

2.本征半导体的结构

共价键 自由电子 空穴

原子之间形成共价键结构。

但是共价键中的电子并不像绝缘体中的电子结合的那样紧,由于能量激发(如光照、温度变化),一些电子就能挣脱原有的束缚而成为自由电子。与此同时,某处共价键中失去一个电子,相应地就留下一个空位,称为空穴。自由电子和空穴总是成对出现的。

一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定,能够达到动态平衡;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大,达到新的平衡。

3、本征半导体中的两种载流子 自由电子 空穴

载流子:是指运载电荷的粒子。两种载流子:自由电子 空穴

当给本征半导体材料外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。

二、杂质(N型 P型)半导体

在本征半导体材料中,加入其它价元素,也就是掺杂。

1. N型半导体 电子型半导体

“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。

在四价的本征半导体材料中掺入五价的磷(P)、砷、锑。自由电子成为多数载流子。N型半导体主要依靠自由电子导电

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

2. P型半导体 空穴型半导体

以带正电的空穴导电为主的半导体。“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。

在四价的本征半导体材料中掺入三价的硼(B)。空穴成为多数载流子。P型半导体主要依靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?

随着温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,材料的导电性增强。载流子密度会随温度变化而变化,导致电学性能变化。少子浓度受温度影响变化倍数更多,例如本身100电子1空穴,增加了1电子1空穴,电子浓度几乎不变,空穴浓度翻倍了。

三、PN结及其单向导电性

1.扩散运动:物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有这种现象。

扩散运动P区的空穴浓度远高于N区。N区的自由电子浓度远高于P区。

扩散运动使的P区靠近接触面的空穴浓度降低、N区靠近接触面的自由电子浓度降低,从而产生一个内电场。

2.漂移运动 PN 结的形成

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,内电场会阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。因内电场作用所产生的运动称为漂移运动。

漂移运动

当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时,达到动态平衡,在两种材料的结合部就形成了PN结(空间电荷区 耗尽层)。

3.PN 结的单向导电性

PN结加正向电压

1)PN结加正向电压导通:

耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态。

PN结加反向电压

2)PN结加反向电压截止:

耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。

四、PN 结的电容效应

1. 势垒电容 CbC_{b}

PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。

2. 扩散电容 CdC_{d}

PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。

结电容: Cj=Cb+CdC_{j}=C_{b}+C_{d}

需要注意的是,结电容并不是常量!

因为结电容的影响,如果外加电压频率高到一定程度,PN结将会失去单向导电性!

参考

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